Framleiðandi Vöru númer:

FDC2612

Product Overview

Framleiðandi:

onsemi

Völu númer:

FDC2612-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 200V 1.1A SUPERSOT6

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 200 V 1.1A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6

Birgðir:

RFQ á netinu

12838173

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

FDC2612 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

onsemi

Pakkning

Tape & Reel (TR)

Röð

PowerTrench®

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

200 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

1.1A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

725mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4.5V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

11 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

234 pF @ 100 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

1.6W (Ta)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

SuperSOT™-6

Pakki / hulstur

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Grunnvörunúmer

FDC2612

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

3,000

Önnur nöfn

FDC2612-DG

FDC2612CT

FDC2612TR

FDC2612DKR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

62-0136PBF

MOSFET N-CH 30V 19A 8-SOIC

onsemi

FQI13N06LTU

MOSFET N-CH 60V 13.6A I2PAK

onsemi

FDP039N08B-F102

MOSFET N-CH 80V 120A TO220-3

onsemi

ECH8419-TL-H

MOSFET N-CH 35V 9A 8ECH