Framleiðandi Vöru númer:
FDB8832
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FDB8832-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 30V 34A/80A TO263AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 34A (Ta), 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
12846189
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FDB8832 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Röð
PowerTrench®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
34A (Ta), 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
265 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
11400 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
300W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
FDB883
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
800
Önnur nöfn
2832-FDB8832TR
FDB8832CT
FDB8832DKR
FDB8832TR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SUM90N03-2M2P-E3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
1612
HLUTARNÁMR
SUM90N03-2M2P-E3-DG
Einingaverð
1.59
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
STB80NF03L-04T4
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
691
HLUTARNÁMR
STB80NF03L-04T4-DG
Einingaverð
1.90
VÖRUVAL
Upgrade
DIGI vottun
Tengdar vörur
AOTF4126
MOSFET N-CH 100V 6A/27A TO220-3F
AOD474A
MOSFET N-CH 75V 2.5A/10A TO252
AO4425L
MOSFET P-CH 38V 14A 8SOIC
