FDB3632_SB82115
Framleiðandi Vöru númer:

FDB3632_SB82115

Product Overview

Framleiðandi:

onsemi

Völu númer:

FDB3632_SB82115-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 100V 12A/80A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 12A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)

Birgðir:

RFQ á netinu
12849424
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

FDB3632_SB82115 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
PowerTrench®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
12A (Ta), 80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
9mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6000 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
310W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
FDB363

Aukainformation

Venjulegur pakki
1

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
onsemi

FCH35N60

MOSFET N-CH 600V 35A TO247-3

onsemi

FQPF10N60C

MOSFET N-CH 600V 9.5A TO220F

alpha-and-omega-semiconductor

AOT14N50

MOSFET N-CH 500V 14A TO220

alpha-and-omega-semiconductor

AOWF12N65

MOSFET N-CH 650V 12A TO262F