Framleiðandi Vöru númer:
FDB12N50TM
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FDB12N50TM-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 500 V 11.5A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Birgðir:
1 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12921893
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FDB12N50TM Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
UniFET™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
500 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
11.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
30 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1315 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
165W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263 (D2PAK)
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
FDB12N50
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
800
Önnur nöfn
FDB12N50TMTR
FDB12N50TMCT
FDB12N50TMDKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IXFA12N50P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
298
HLUTARNÁMR
IXFA12N50P-DG
Einingaverð
1.82
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IXTA12N50P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
24
HLUTARNÁMR
IXTA12N50P-DG
Einingaverð
1.71
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
ATP114-TL-H
MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
FDS4465-F085
MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
