Framleiðandi Vöru númer:
FCP130N60
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FCP130N60-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 28A TO220-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 28A (Tc) 278W (Tc) Through Hole TO-220-3
Birgðir:
556 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12851115
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FCP130N60 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
Tube
Röð
SuperFET® II
Staða vöru
Not For New Designs
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
28A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3590 pF @ 380 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
278W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
FCP130
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
800
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
SIHP28N65E-GE3
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
SIHP28N65E-GE3-DG
Einingaverð
2.49
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
STP33N60M2
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
727
HLUTARNÁMR
STP33N60M2-DG
Einingaverð
2.08
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
FDC796N_F077
MOSFET N-CH 30V 12.5A SUPERSOT6
FCD600N60Z
MOSFET N-CH 600V 7.4A DPAK
IRLM110ATF
MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT223-4
