Framleiðandi Vöru númer:
FCI25N60N-F102
Product Overview
Framleiðandi:
onsemi
Völu númer:
FCI25N60N-F102-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Birgðir:
12839001
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
FCI25N60N-F102 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
SupreMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
25A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
3352 pF @ 100 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
216W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-262 (I2PAK)
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Grunnvörunúmer
FCI25N60
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
FCI25N60N_F102-DG
FCI25N60N_F102
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
Not Applicable
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPI60R099CPXKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
500
HLUTARNÁMR
IPI60R099CPXKSA1-DG
Einingaverð
3.99
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
FDC8884
MOSFET N-CH 30V 6.5/8A SUPERSOT6
FDP150N10A-F102
MOSFET N-CH 100V 50A TO220-3
HUF76629D3ST
MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA
