2SJ652-1E
Framleiðandi Vöru númer:

2SJ652-1E

Product Overview

Framleiðandi:

onsemi

Völu númer:

2SJ652-1E-DG

Lýsing:

MOSFET P-CH 60V 28A TO220F-3SG
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 60 V 28A (Ta) 2W (Ta), 30W (Tc) Through Hole TO-220F-3SG

Birgðir:

RFQ á netinu
12920749
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

2SJ652-1E Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
onsemi
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
60 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
28A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
38mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4360 pF @ 20 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
2W (Ta), 30W (Tc)
Hitastig rekstrar
150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220F-3SG
Pakki / hulstur
TO-220-3 Full Pack
Grunnvörunúmer
2SJ652

Aukainformation

Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
2SJ652-1E-DG
2SJ652-1EOS

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
AOTF409
FRAMLEIÐANDI
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
AOTF409-DG
Einingaverð
0.48
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
FQPF47P06
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
FQPF47P06-DG
Einingaverð
1.38
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SISS42DN-T1-GE3

MOSFET N-CH 100V 11.8/40.5A PPAK

vishay-siliconix

SUP60030E-GE3

MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB

vishay-siliconix

SUM110P04-05-E3

MOSFET P-CH 40V 110A TO263

vishay-siliconix

SUD23N06-31-T4-GE3

MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252