PMN30UNE115

Framleiðandi Vöru númer:

PMN30UNE115

Product Overview

Framleiðandi:

NXP USA Inc.

Völu númer:

PMN30UNE115-DG

Lýsing:

NOW NEXPERIA PMN30UNE SMALL SIGN

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 20 V 4.8A (Ta) 530mW (Ta), 4.46W (Tc) Surface Mount 6-TSOP

Birgðir:

RFQ á netinu

12947355

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

PMN30UNE115 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

NXP Semiconductors

Pakkning

-

Röð

-

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

20 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

4.8A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

36mOhm @ 4.8A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

0.9V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

9 nC @ 4.5 V

Vgs (hámark)

±8V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

558 pF @ 10 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

530mW (Ta), 4.46W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

6-TSOP

Pakki / hulstur

SC-74, SOT-457

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

5,402

Önnur nöfn

2156-PMN30UNE115

NEXNXPPMN30UNE115

Umhverfis- og útflutningsflokkun

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

fairchild-semiconductor

FDS6692A

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9

nxp-semiconductors

PHB110NQ08T,118

MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK

fairchild-semiconductor

SI3443DV

MOSFET P-CH 20V 4.4A MICRO6

nexperia

PMPB85ENEA/F,115

PMPB85E - 60V, SINGLE N-CHANNEL