PMDPB95XNE2115

Framleiðandi Vöru númer:

PMDPB95XNE2115

Product Overview

Framleiðandi:

NXP USA Inc.

Völu númer:

PMDPB95XNE2115-DG

Lýsing:

NOW NEXPERIA PMDPB95XNE SMALL SI

Mikilvægar upplýsingar:

Mosfet Array 30V 2.7A (Ta) 510mW (Ta), 8.33W (Tc) Surface Mount 6-HUSON (2x2)

Birgðir:

RFQ á netinu

12947740

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

PMDPB95XNE2115 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir

Framleiðandi

NXP Semiconductors

Pakkning

-

Röð

-

Staða vöru

Active

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Stelling

2 N-Channel

FET eiginleiki

Standard

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

30V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

2.7A (Ta)

Rds á (Max) @ Id, Vgs

99mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th) (Max) @ Id

1.25V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

4.5nC @ 4.5V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

258pF @ 15V

Kraftur - hámark

510mW (Ta), 8.33W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Pakki / hulstur

6-UDFN Exposed Pad

Birgir tæki pakki

6-HUSON (2x2)

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

PMDPB95XNE2115-DG

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

2,818

Önnur nöfn

NEXNXPPMDPB95XNE2115

2156-PMDPB95XNE2115

Umhverfis- og útflutningsflokkun

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

nxp-semiconductors

NX7002BKS115

MOSFET

vishay-siliconix

SIA938DJT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 4.5A SC70-6

vishay-siliconix

SIZ256DT-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 70V 11.5A 8PWRPAIR

diodes

2N7002VC-7

MOSFET 2N-CH 60V 0.28A SOT563