Framleiðandi Vöru númer:
PHW80NQ10T,127
Product Overview
Framleiðandi:
NXP USA Inc.
Völu númer:
PHW80NQ10T,127-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 80A TO247-3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 263W (Tc) Through Hole TO-247
Birgðir:
12822281
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
PHW80NQ10T,127 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
NXP Semiconductors
Pakkning
-
Röð
TrenchMOS™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
80A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
15mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
109 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4720 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
263W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
PHW80
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
1,000
Önnur nöfn
PHW80NQ10T
PHW80NQ10T-DG
934055695127
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRFP4310ZPBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
1902
HLUTARNÁMR
IRFP4310ZPBF-DG
Einingaverð
2.10
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IXFH110N10P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXFH110N10P-DG
Einingaverð
3.80
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IXTQ110N10P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXTQ110N10P-DG
Einingaverð
3.43
VÖRUVAL
MFR Recommended
DIGI vottun
Tengdar vörur
IXTT140P10T
MOSFET P-CH 100V 140A TO268
IRF6614TRPBF
MOSFET N-CH 40V 12.7A DIRECTFET
IXFC30N60P
MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220
