Framleiðandi Vöru númer:
PHB21N06LT,118
Product Overview
Framleiðandi:
NXP USA Inc.
Völu númer:
PHB21N06LT,118-DG
Lýsing:
NOW NEXPERIA PHB21N06LT - 19A, 5
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 55 V 19A (Tc) 56W (Tc) Surface Mount D2PAK
Birgðir:
978 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12947330
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
JhSW
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
PHB21N06LT,118 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
NXP Semiconductors
Pakkning
Bulk
Röð
TrenchMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
55 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
19A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
70mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
9.4 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±15V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
650 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
56W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
D2PAK
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
739
Önnur nöfn
2156-PHB21N06LT,118
NEXNXPPHB21N06LT,118
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF6662TRPBF
IRF6662 - 12V-300V N-CHANNEL POW
PH1030DLSX
POWER MOS
FDPF8N50NZU
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6
