BUK7E5R2-100E,127
Framleiðandi Vöru númer:

BUK7E5R2-100E,127

Product Overview

Framleiðandi:

NXP Semiconductors

Völu númer:

BUK7E5R2-100E,127-DG

Lýsing:

NEXPERIA BUK7E5R2-100E - 120A, 1
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK

Birgðir:

473 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12968167
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

BUK7E5R2-100E,127 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
NXP Semiconductors
Pakkning
Bulk
Röð
TrenchMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
180 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
11810 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
349W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
I2PAK
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks

Aukainformation

Venjulegur pakki
249
Önnur nöfn
2156-BUK7E5R2-100E,127-954

Umhverfis- og útflutningsflokkun

Rakanæmi (MSL)
Vendor Undefined
REACH staða
REACH Unaffected
HTSUS
0000.00.0000
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

SQA410CEJW-T1_GE3

AUTOMOTIVE N-CHANNEL 20 V (D-S)

fairchild-semiconductor

NTNS4CS69NTCG

NTNS4CS69NTCG - TRENCH 6 30V NFE

infineon-technologies

ISC080N10NM6ATMA1

TRENCH >=100V PG-TDSON-8

infineon-technologies

ISP20EP10LMXTSA1

SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4