Framleiðandi Vöru númer:
BUK7660-100A,118
Product Overview
Framleiðandi:
NXP Semiconductors
Völu númer:
BUK7660-100A,118-DG
Lýsing:
NEXPERIA BUK7660 - N-CHANNEL TRE
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 26A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount D2PAK
Birgðir:
4800 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12968098
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BUK7660-100A,118 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
NXP Semiconductors
Pakkning
Bulk
Röð
TrenchMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
26A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1377 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
106W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
D2PAK
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
503
Önnur nöfn
2156-BUK7660-100A,118-954
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
Vendor Undefined
REACH staða
REACH Unaffected
DIGI vottun
Tengdar vörur
TP65H035G4WSQA
650 V 46.5 GAN FET
IRFS630B
9A, 200V, 0.4OHM, N-CHANNEL MOSF
CPH3331-TL-E
P-CHANNEL SILICON MOSFET FOR GEN
