Framleiðandi Vöru númer:
BUK751R8-40E127
Product Overview
Framleiðandi:
NXP USA Inc.
Völu númer:
BUK751R8-40E127-DG
Lýsing:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole TO-220AB
Birgðir:
12931490
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BUK751R8-40E127 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
NXP Semiconductors
Pakkning
Bulk
Röð
TrenchMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
40 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
145 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
11340 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
349W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220AB
Pakki / hulstur
TO-220-3
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
314
Önnur nöfn
2156-BUK751R8-40E127
NEXNXPBUK751R8-40E127
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
Not applicable
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF244
N-CHANNEL POWER MOSFET
3LN01CPA-TB-E
NCH 1.5V DRIVE SERIES
3LN03M-TL-E
N-CHANNEL SILICON MOSFET
