Framleiðandi Vöru númer:
BUK6E2R0-30C127
Product Overview
Framleiðandi:
NXP USA Inc.
Völu númer:
BUK6E2R0-30C127-DG
Lýsing:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 120A (Tc) 306W (Tc) Through Hole I2PAK
Birgðir:
12931772
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
BUK6E2R0-30C127 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
NXP Semiconductors
Pakkning
-
Röð
TrenchMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.8V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
229 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±16V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
14964 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
306W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q101
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
I2PAK
Pakki / hulstur
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
329
Önnur nöfn
NEXNXPBUK6E2R0-30C127
2156-BUK6E2R0-30C127
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
Not applicable
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF642
N-CHANNEL POWER MOSFET
HUF75307D3ST_NL
N-CHANNEL POWER MOSFET
IRFW730BTM
N-CHANNEL POWER MOSFET