KFJ4B01100L
Framleiðandi Vöru númer:

KFJ4B01100L

Product Overview

Framleiðandi:

Nuvoton Technology Corporation

Völu númer:

KFJ4B01100L-DG

Lýsing:

TMOS
Mikilvægar upplýsingar:
P-Channel 12 V 2.2A (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount 4-CSP (0.8x0.8)

Birgðir:

13004040
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

KFJ4B01100L Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Nuvoton Technology Corporation
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
P-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
12 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2.2A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
74mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1.2mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
7 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
459 pF @ 10 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
360mW (Ta)
Hitastig rekstrar
150°C
Einkunn
Automotive
Hæfni
AEC-Q100
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
4-CSP (0.8x0.8)
Pakki / hulstur
4-XFLGA, CSP
Grunnvörunúmer
KFJ4

Gagnaablað & Skjöl

Aukainformation

Venjulegur pakki
20,000
Önnur nöfn
816-KFJ4B01100LTR

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
goford-semiconductor

G7P03D2

P-30V,-7A,RD(MAX)<20.5M@-10V,VTH