Framleiðandi Vöru númer:
NXV55UNR
Product Overview
Framleiðandi:
Nexperia USA Inc.
Völu númer:
NXV55UNR-DG
Lýsing:
NXV55UN/SOT23/TO-236AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 30 V 1.9A (Ta) 340mW (Ta), 2.1W (Tc) Surface Mount TO-236AB
Birgðir:
29503 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12950091
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
NXV55UNR Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Nexperia
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
TrenchMOS™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
30 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.9A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
1.5V, 4.5V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
66mOhm @ 1.9A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
900mV @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
8.7 nC @ 4.5 V
Vgs (hámark)
±8V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
352 pF @ 15 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-236AB
Pakki / hulstur
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
3,000
Önnur nöfn
1727-NXV55UNRCT
934661664215
5202-NXV55UNRTR
1727-NXV55UNRTR
1727-NXV55UNRDKR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
TP65H070LSG-TR
GANFET N-CH 650V 25A PQFN88
IPP65R155CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW
IPP65R110CFD7XKSA1
HIGH POWER_NEW