Framleiðandi Vöru númer:

JAN2N7334

Product Overview

Framleiðandi:

Microsemi Corporation

Völu númer:

JAN2N7334-DG

Lýsing:

MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB

Mikilvægar upplýsingar:

Mosfet Array 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB

Birgðir:

RFQ á netinu

12929658

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

JAN2N7334 Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, FET, MOSFET raðir

Framleiðandi

Microsemi

Pakkning

-

Röð

-

Staða vöru

Active

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Stelling

4 N-Channel

FET eiginleiki

-

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

100V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

1A

Rds á (Max) @ Id, Vgs

700mOhm @ 600mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250µA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

60nC @ 10V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

-

Kraftur - hámark

1.4W

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Einkunn

Military

Hæfni

MIL-PRF-19500/597

Gerð uppsetningar

Through Hole

Pakki / hulstur

14-DIP (0.300", 7.62mm)

Birgir tæki pakki

MO-036AB

Grunnvörunúmer

2N733

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

1

Önnur nöfn

JAN2N7334-MIL

150-JAN2N7334

JAN2N7334-DG

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

RoHS non-compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

rohm-semi

SP8M3FU7TB1

MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP

onsemi

NDS9957

MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC

CAB425M12XM3

SIC 2N-CH 1200V 450A

SP8K3FD5TB1

MOSFET 2N-CH 30V 8SOP