Framleiðandi Vöru númer:
JAN2N6800
Product Overview
Framleiðandi:
Microsemi Corporation
Völu númer:
JAN2N6800-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 400V 3A TO39
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 400 V 3A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-39
Birgðir:
12928976
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
1LmD
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
JAN2N6800 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Microsemi
Pakkning
-
Röð
Military, MIL-PRF-19500/557
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
400 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
34.75 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-39
Pakki / hulstur
TO-205AF Metal Can
Aukainformation
Venjulegur pakki
1
Önnur nöfn
JAN2N6800-DG
JAN2N6800-MIL
150-JAN2N6800
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
NTB90N02T4G
MOSFET N-CH 24V 90A D2PAK
IPD50P04P413ATMA2
MOSFET P-CH 40V 50A TO252-3
JANTXV2N6800U
MOSFET N-CH 400V 3A 18ULCC