JAN2N6768
Framleiðandi Vöru númer:

JAN2N6768

Product Overview

Framleiðandi:

Microsemi Corporation

Völu númer:

JAN2N6768-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 400V 14A TO204AE
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 400 V 14A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole

Birgðir:

12954390
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

JAN2N6768 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Microsemi
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
400 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
14A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
110 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
4W (Ta), 150W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Einkunn
Military
Hæfni
MIL-PRF-19500/543
Gerð uppsetningar
Through Hole
Pakki / hulstur
TO-204AE

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
1
Önnur nöfn
150-JAN2N6768
JAN2N6768-MIL
JAN2N6768-DG

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
renesas-electronics-america

2SK3105-T1B-A

SMALL SIGNAL FET

alpha-and-omega-semiconductor

AOK125A60

MOSFET N-CH 600V 28A TO247

vishay-siliconix

SUD06N10-225L-GE3

MOSFET N-CH 100V 6.5A TO252AA

genesic-semiconductor

G3R75MT12K

SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4