Framleiðandi Vöru númer:
APT20M22B2VRG
Product Overview
Framleiðandi:
Microsemi Corporation
Völu númer:
APT20M22B2VRG-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 200V 100A T-MAX
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 100A (Tc) 520W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]
Birgðir:
13254881
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
APT20M22B2VRG Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Microsemi
Pakkning
-
Röð
POWER MOS V®
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
22mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
435 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
10200 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
520W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
T-MAX™ [B2]
Pakki / hulstur
TO-247-3 Variant
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1
Önnur nöfn
APT20M22B2VRG-ND
150-APT20M22B2VRG
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IXTQ120N20P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXTQ120N20P-DG
Einingaverð
6.73
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IXFH120N20P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
188
HLUTARNÁMR
IXFH120N20P-DG
Einingaverð
7.05
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IXFR140N20P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
5020
HLUTARNÁMR
IXFR140N20P-DG
Einingaverð
11.60
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IXTH130N20T
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
17
HLUTARNÁMR
IXTH130N20T-DG
Einingaverð
4.36
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
APT12060LVFRG
MOSFET N-CH 1200V 20A TO264
APTC60SKM24T1G
MOSFET N-CH 600V 95A SP1
APT10090SLLG
MOSFET N-CH 1000V 12A D3PAK
