Framleiðandi Vöru númer:
2N6764
Product Overview
Framleiðandi:
Microsemi Corporation
Völu númer:
2N6764-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 100V 38A TO3
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 100 V 38A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-3
Birgðir:
13255936
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
2N6764 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Microsemi
Pakkning
-
Röð
-
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
100 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
38A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
125 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
4W (Ta), 150W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-3
Pakki / hulstur
TO-204AE
Gagnaablað & Skjöl
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
1
Önnur nöfn
2N6764-ND
150-2N6764
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
RoHS non-compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
APT10078SLLG
MOSFET N-CH 1000V 14A D3PAK
NVHL075N065SC1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET, NC
NTBG030N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
