MSC040SMA120B

Framleiðandi Vöru númer:

MSC040SMA120B

Product Overview

Framleiðandi:

Microchip Technology

Völu númer:

MSC040SMA120B-DG

Lýsing:

SICFET N-CH 1200V 66A TO247-3

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 1200 V 66A (Tc) 323W (Tc) Through Hole TO-247-3

Birgðir:

61 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager

13259557

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

MSC040SMA120B Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Microchip Technology

Pakkning

Tube

Röð

-

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

SiCFET (Silicon Carbide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

1200 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

66A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

20V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

50mOhm @ 40A, 20V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.7V @ 2mA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

137 nC @ 20 V

Vgs (hámark)

+23V, -10V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

1990 pF @ 1000 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

323W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 175°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Through Hole

Birgir tæki pakki

TO-247-3

Pakki / hulstur

TO-247-3

Grunnvörunúmer

MSC040

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

30

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

nexperia

GAN039-650NTBZ

650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (

2N7002AKS-QX

MOS DISCRETES

nexperia

2N7002AK-QR

MOS DISCRETES

BSS138AKS-QX

MOS DISCRETES