Framleiðandi Vöru númer:
APTM20UM04SAG
Product Overview
Framleiðandi:
Microchip Technology
Völu númer:
APTM20UM04SAG-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 200V 417A SP6
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 200 V 417A (Tc) 1560W (Tc) Chassis Mount SP6
Birgðir:
13256161
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
APTM20UM04SAG Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Microchip Technology
Pakkning
Bulk
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
417A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 208.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 10mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
560 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
28800 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1560W (Tc)
Hitastig rekstrar
-40°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Chassis Mount
Birgir tæki pakki
SP6
Pakki / hulstur
SP6
Grunnvörunúmer
APTM20
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
1
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
NVBG040N120M3S
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET-ELI
NTHL075N065SC1
SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - E
APL1001J
MOSFET N-CH 1000V 18A ISOTOP