APT34N80B2C3G
Framleiðandi Vöru númer:

APT34N80B2C3G

Product Overview

Framleiðandi:

Microchip Technology

Völu númer:

APT34N80B2C3G-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 800V 34A T-MAX
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 34A (Tc) 417W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Birgðir:

RFQ á netinu
13247744
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

APT34N80B2C3G Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Microchip Technology
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
34A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 22A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 2mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
355 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4510 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
417W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
T-MAX™ [B2]
Pakki / hulstur
TO-247-3 Variant
Grunnvörunúmer
APT34N80

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð
APT34N80(B2,L)C3 High-Voltage Power Discretes and Modules

Aukainformation

Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
APT34N80B2C3GMI
APT34N80B2C3GMI-ND

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
microsemi

APT17N80BC3G

MOSFET N-CH 800V 17A TO247-3

microchip-technology

APT5010LVRG

MOSFET N-CH 500V 47A TO264

microchip-technology

APT8011JFLL

MOSFET N-CH 800V 51A ISOTOP

microchip-technology

APT30M36LLLG

MOSFET N-CH 300V 84A TO264