APT29F100B2
Framleiðandi Vöru númer:

APT29F100B2

Product Overview

Framleiðandi:

Microchip Technology

Völu númer:

APT29F100B2-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 1000V 30A T-MAX
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1000 V 30A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole T-MAX™ [B2]

Birgðir:

37 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13252746
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
QwoU
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

APT29F100B2 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Microchip Technology
Pakkning
Tube
Röð
POWER MOS 8™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1000 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
30A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
440mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 2.5mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
260 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
8500 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1040W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
T-MAX™ [B2]
Pakki / hulstur
TO-247-3 Variant
Grunnvörunúmer
APT29F100

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
30

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
microchip-technology

APT20M18LVRG

MOSFET N-CH 200V 100A TO264

microchip-technology

APTM20DAM05G

MOSFET N-CH 200V 317A SP6

microchip-technology

APT5020BVFRG

MOSFET N-CH 500V 26A TO247

microchip-technology

APT47N60BC3G

MOSFET N-CH 600V 47A TO247