APT12M80B
Framleiðandi Vöru númer:

APT12M80B

Product Overview

Framleiðandi:

Microchip Technology

Völu númer:

APT12M80B-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 800V 13A TO247
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 800 V 13A (Tc) 335W (Tc) Through Hole TO-247 [B]

Birgðir:

RFQ á netinu
13264945
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

APT12M80B Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Microchip Technology
Pakkning
Tube
Röð
POWER MOS 8™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
800 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
13A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
2470 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
335W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-247 [B]
Pakki / hulstur
TO-247-3
Grunnvörunúmer
APT12M80

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð
APT12M80(B,S) High-Voltage Power Discretes and Modules

Aukainformation

Venjulegur pakki
30

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
IXFH14N80P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXFH14N80P-DG
Einingaverð
3.72
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
microsemi

APT20F50B

MOSFET N-CH 500V 20A TO247

microchip-technology

APT10050LVRG

MOSFET N-CH 1000V 21A TO264

microsemi

APT4065BNG

MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD

microchip-technology

APT1001R6BFLLG

MOSFET N-CH 1000V 8A TO247