Framleiðandi Vöru númer:
MMIX1F180N25T
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
MMIX1F180N25T-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 250V 132A 24SMPD
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 250 V 132A (Tc) 570W (Tc) Surface Mount 24-SMPD
Birgðir:
20 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12822065
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
MMIX1F180N25T Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
250 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
132A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
13mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
364 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
23800 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
570W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
24-SMPD
Pakki / hulstur
24-PowerSMD, 21 Leads
Grunnvörunúmer
MMIX1F180
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
20
Önnur nöfn
-MMIX1F180N25T
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IXTQ180N055T
MOSFET N-CH 55V 180A TO3P
IXTQ96N20P
MOSFET N-CH 200V 96A TO3P
IXTQ88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO3P
