Framleiðandi Vöru númer:
IXTY4N60P
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
IXTY4N60P-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Birgðir:
12820788
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IXTY4N60P Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
-
Röð
PolarHV™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 100µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
635 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
89W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IXTY4
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
70
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STD3N62K3
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
3586
HLUTARNÁMR
STD3N62K3-DG
Einingaverð
0.36
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IPD80R2K0P7ATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
67
HLUTARNÁMR
IPD80R2K0P7ATMA1-DG
Einingaverð
0.32
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
STD4N62K3
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
5433
HLUTARNÁMR
STD4N62K3-DG
Einingaverð
0.73
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IXTY4N65X2
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
70
HLUTARNÁMR
IXTY4N65X2-DG
Einingaverð
1.07
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
AUIRFR3806
MOSFET N-CH 60V 43A DPAK
IXTH10P50
MOSFET P-CH 500V 10A TO247
IXTF1N450
MOSFET N-CH 4500V 900MA I4PAC
