IXTY2N65X2
Framleiðandi Vöru númer:

IXTY2N65X2

Product Overview

Framleiðandi:

IXYS

Völu númer:

IXTY2N65X2-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 650V 2A TO252
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 2A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Birgðir:

12907800
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IXTY2N65X2 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
Ultra X2
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
4.3 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
180 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
55W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IXTY2

Gagnaablað & Skjöl

Aukainformation

Venjulegur pakki
70

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
IPD80R2K0P7ATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
67
HLUTARNÁMR
IPD80R2K0P7ATMA1-DG
Einingaverð
0.32
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
STD4N62K3
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
5433
HLUTARNÁMR
STD4N62K3-DG
Einingaverð
0.73
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
FDD5N60NZTM
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
45384
HLUTARNÁMR
FDD5N60NZTM-DG
Einingaverð
0.40
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

IRF820ALPBF

MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK

littelfuse

IXTP44N30T

MOSFET N-CH 300V 44A TO220AB

vishay-siliconix

IRFR9120TRR

MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK

vishay-siliconix

IRF9Z24STRR

MOSFET P-CH 60V 11A D2PAK