Framleiðandi Vöru númer:
IXTY2N65X2
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
IXTY2N65X2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 2A TO252
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 2A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Birgðir:
12907800
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IXTY2N65X2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
Ultra X2
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
2.3Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
4.3 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
180 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
55W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IXTY2
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
70
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPD80R2K0P7ATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
67
HLUTARNÁMR
IPD80R2K0P7ATMA1-DG
Einingaverð
0.32
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
STD4N62K3
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
5433
HLUTARNÁMR
STD4N62K3-DG
Einingaverð
0.73
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
FDD5N60NZTM
FRAMLEIÐANDI
onsemi
Fjöldi í boði
45384
HLUTARNÁMR
FDD5N60NZTM-DG
Einingaverð
0.40
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF820ALPBF
MOSFET N-CH 500V 2.5A I2PAK
IXTP44N30T
MOSFET N-CH 300V 44A TO220AB
IRFR9120TRR
MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
