IXTY1R6N100D2
Framleiðandi Vöru númer:

IXTY1R6N100D2

Product Overview

Framleiðandi:

IXYS

Völu númer:

IXTY1R6N100D2-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO252
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1000 V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Birgðir:

12906145
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IXTY1R6N100D2 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
Depletion
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1000 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds á (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
645 pF @ 25 V
FET eiginleiki
Depletion Mode
Afl leiðni (hámark)
100W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IXTY1

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
70

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

IRFR024

MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

vishay-siliconix

IRFR020TRR

MOSFET N-CH 60V 14A DPAK

vishay-siliconix

IRF634STRRPBF

MOSFET N-CH 250V 8.1A D2PAK

nexperia

BUK9D23-40EX

MOSFET N-CH 40V 8A DFN2020MD-6