Framleiðandi Vöru númer:
IXTY1R4N120P-TRL
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
IXTY1R4N120P-TRL-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 1200V 1.4A TO252
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 1.4A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Birgðir:
13270624
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IXTY1R4N120P-TRL Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tape & Reel (TR)
Röð
Polar
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
13Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 100µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
24.8 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
666 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
86W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IXTY1
Aukainformation
Venjulegur pakki
2,500
Önnur nöfn
238-IXTY1R4N120P-TRLTR
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IXTY1R4N120PHV
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXTY1R4N120PHV-DG
Einingaverð
1.80
VÖRUVAL
Parametric Equivalent
DIGI vottun
Tengdar vörur
IXTA08N100D2HV-TRL
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263HV
IXTA08N100D2-TRL
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
IXTQ32P20T
MOSFET P-CH 200V 32A TO3P