IXTY08N100P
Framleiðandi Vöru númer:

IXTY08N100P

Product Overview

Framleiðandi:

IXYS

Völu númer:

IXTY08N100P-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 1000V 800MA TO252
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1000 V 800mA (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Birgðir:

2 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12905229
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IXTY08N100P Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
Polar
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1000 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
800mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
20Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 50µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
11.3 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
240 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
42W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-252AA
Pakki / hulstur
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Grunnvörunúmer
IXTY08

Gagnaablað & Skjöl

Gagnablöð
IXT(A,P,Y)08N100P Building, Home Automation Appl Guide

Aukainformation

Venjulegur pakki
70

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
diodes

ZXMN10A07FTA

MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3

littelfuse

IXFT150N30X3HV

MOSFET N-CH 300V 150A TO268HV

diodes

ZXMN10A11K

MOSFET N-CH 100V 2.4A TO252-3

vishay-siliconix

IRFBC30

MOSFET N-CH 600V 3.6A TO220AB