IXTU01N100
Framleiðandi Vöru númer:

IXTU01N100

Product Overview

Framleiðandi:

IXYS

Völu númer:

IXTU01N100-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 1000V 100MA TO251
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1000 V 100mA (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-251AA

Birgðir:

12912874
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IXTU01N100 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Last Time Buy
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1000 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
100mA (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
80Ohm @ 100mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 25µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
6.9 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
54 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
25W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-251AA
Pakki / hulstur
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Grunnvörunúmer
IXTU01

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki
70
Önnur nöfn
IXTU01N100-NDR
Q1225942

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
vishay-siliconix

IRF9Z34STRL

MOSFET P-CH 60V 18A D2PAK

vishay-siliconix

SI4480DY-T1-E3

MOSFET N-CH 80V 6A 8-SOIC

littelfuse

IXFP4N85X

MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB

vishay-siliconix

SI8407DB-T2-E1

MOSFET P-CH 20V 5.8A 6MICRO FOOT