Framleiðandi Vöru númer:
IXTT3N200P3HV
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
IXTT3N200P3HV-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 2000V 3A TO268
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 2000 V 3A (Tc) 520W (Tc) Surface Mount TO-268HV (IXTT)
Birgðir:
5 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12823279
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IXTT3N200P3HV Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
Polar P3™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
2000 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
3A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
8Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1860 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
520W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-268HV (IXTT)
Pakki / hulstur
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Grunnvörunúmer
IXTT3
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
-IXTT3N200P3HV
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
3 (168 Hours)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF7207TR
MOSFET P-CH 20V 5.4A 8SO
IXFT10N100
MOSFET N-CH 1000V 10A TO268
IRF7416GTRPBF
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO
