Framleiðandi Vöru númer:
IXTQ48N65X2M
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
IXTQ48N65X2M-DG
Lýsing:
DISCRETE MOSFET 48A 650V X2 TO3P
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 48A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-3P
Birgðir:
12966522
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IXTQ48N65X2M Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
48A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
4300 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
70W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-3P
Pakki / hulstur
TO-3P-3, SC-65-3
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Önnur nöfn
238-IXTQ48N65X2M
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IXTH2N150
DISCMOSFET N-CH STD-HIVOLTAGE TO
DMTH8001STLWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
DMTH10H1M7STLWQ-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI10
