Framleiðandi Vöru númer:
IXTP8N65X2M
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
IXTP8N65X2M-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220
Birgðir:
46 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12905806
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IXTP8N65X2M Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
Ultra X2
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
550mOhm @ 4A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
800 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
32W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IXTP8
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STP10NM60ND
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
631
HLUTARNÁMR
STP10NM60ND-DG
Einingaverð
0.91
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
FCP600N60Z
FRAMLEIÐANDI
Fairchild Semiconductor
Fjöldi í boði
781
HLUTARNÁMR
FCP600N60Z-DG
Einingaverð
1.07
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
ZVP2106AS
MOSFET P-CH 60V 280MA TO92-3
IRFR9024TRR
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
IRF9520STRLPBF
MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
