Framleiðandi Vöru númer:
IXTP200N055T2
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
IXTP200N055T2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 55V 200A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 55 V 200A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-220-3
Birgðir:
12819992
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IXTP200N055T2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
TrenchT2™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
55 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
200A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
109 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6800 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
360W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IXTP200
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IRFB3306PBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
5368
HLUTARNÁMR
IRFB3306PBF-DG
Einingaverð
0.71
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
PSMN4R2-60PLQ
FRAMLEIÐANDI
Nexperia USA Inc.
Fjöldi í boði
2218
HLUTARNÁMR
PSMN4R2-60PLQ-DG
Einingaverð
1.36
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IRFB3207ZPBF
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
13654
HLUTARNÁMR
IRFB3207ZPBF-DG
Einingaverð
1.18
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
CSD18532KCS
FRAMLEIÐANDI
Texas Instruments
Fjöldi í boði
1360
HLUTARNÁMR
CSD18532KCS-DG
Einingaverð
0.91
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
IXFP26N30X3
MOSFET N-CH 300V 26A TO220AB
IXTP75N10P
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
IXTN46N50L
MOSFET N-CH 500V 46A SOT-227B
