Framleiðandi Vöru númer:
IXTP1R4N100P
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
IXTP1R4N100P-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1000 V 1.4A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-220-3
Birgðir:
12820066
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IXTP1R4N100P Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
Polar
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1000 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.4A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
11Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
17.8 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
450 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
63W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IXTP1
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
STP2NK100Z
FRAMLEIÐANDI
STMicroelectronics
Fjöldi í boði
738
HLUTARNÁMR
STP2NK100Z-DG
Einingaverð
1.37
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IRFBG20PBF
FRAMLEIÐANDI
Vishay Siliconix
Fjöldi í boði
1421
HLUTARNÁMR
IRFBG20PBF-DG
Einingaverð
0.68
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
IXFH21N50
MOSFET N-CH 500V 21A TO247AD
IXFH16N50P3
MOSFET N-CH 500V 16A TO247AD
IXTA56N15T
MOSFET N-CH 150V 56A TO263