IXTP1N100
Framleiðandi Vöru númer:

IXTP1N100

Product Overview

Framleiðandi:

IXYS

Völu númer:

IXTP1N100-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 1000V 1.5A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1000 V 1.5A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-220-3

Birgðir:

RFQ á netinu
12822240
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA

IXTP1N100 Tæknilegar forskriftir

Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
-
Staða vöru
Not For New Designs
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1000 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
11Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 25µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
14.5 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
400 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
54W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220-3
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IXTP1

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal
IXTP1N100-DG
Gagnaplakks
IXTP1N100
Gagnablöð
IXT(A,P)1N100

Aukainformation

Venjulegur pakki
50

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Valkostamódeli

Partanúmer
IXFP4N100P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXFP4N100P-DG
Einingaverð
2.40
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Tengdar vörur
littelfuse

IXFK32N100P

MOSFET N-CH 1000V 32A TO264AA

littelfuse

IXTA1R4N100P

MOSFET N-CH 1000V 1.4A TO263

littelfuse

IXFK90N20Q

MOSFET N-CH 200V 90A TO264AA

littelfuse

IXTC200N10T

MOSFET N-CH 100V 101A ISOPLUS220