Framleiðandi Vöru númer:
IXTA1R6N100D2
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
IXTA1R6N100D2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 1000V 1.6A TO263
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1000 V 1.6A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Birgðir:
131 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12821946
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IXTA1R6N100D2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
Depletion
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1000 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
1.6A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
10Ohm @ 800mA, 0V
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
27 nC @ 5 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
645 pF @ 25 V
FET eiginleiki
Depletion Mode
Afl leiðni (hámark)
100W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263AA
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IXTA1
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
-IXTA1R6N100D2
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IXTQ182N055T
MOSFET N-CH 55V 182A TO3P
IXFN82N60Q3
MOSFET N-CH 600V 66A SOT227B
IXTH52P10P
MOSFET P-CH 100V 52A TO247