Framleiðandi Vöru númer:
IXTA110N12T2
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
IXTA110N12T2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 120V 110A TO263
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 120 V 110A (Tc) 517W (Tc) Surface Mount TO-263AA
Birgðir:
12820924
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IXTA110N12T2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
-
Röð
TrenchT2™
Staða vöru
Obsolete
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
120 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
110A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
14mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6570 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
517W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 175°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-263AA
Pakki / hulstur
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Grunnvörunúmer
IXTA110
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Umhverfis- og útflutningsflokkun
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IPB144N12N3GATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
2576
HLUTARNÁMR
IPB144N12N3GATMA1-DG
Einingaverð
0.79
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IXTA80N12T2
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXTA80N12T2-DG
Einingaverð
2.14
VÖRUVAL
MFR Recommended
Partanúmer
IPB038N12N3GATMA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
1575
HLUTARNÁMR
IPB038N12N3GATMA1-DG
Einingaverð
3.04
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
IXTA200N075T
MOSFET N-CH 75V 200A TO263
IXFZ520N075T2
MOSFET N-CH 75V 465A DE475
IXFN64N50P
MOSFET N-CH 500V 61A SOT227B
