IXFT9N80Q

Framleiðandi Vöru númer:

IXFT9N80Q

Product Overview

Framleiðandi:

IXYS

Völu númer:

IXFT9N80Q-DG

Lýsing:

MOSFET N-CH 800V 9A TO268

Mikilvægar upplýsingar:

N-Channel 800 V 9A (Tc) 180W (Tc) Surface Mount TO-268AA

Birgðir:

RFQ á netinu

12822816

Óska eftir tilboði

Magn
Minimum 1

(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda

STILLTA

IXFT9N80Q Tæknilegar forskriftir

Flokkur

FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET

Framleiðandi

Littelfuse

Pakkning

-

Röð

HiPerFET™, Q Class

Staða vöru

Active

FET gerð

N-Channel

Tækni

MOSFET (Metal Oxide)

Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)

800 V

Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C

9A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Rds á (Max) @ Id, Vgs

1.1Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 2.5mA

Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs

56 nC @ 10 V

Vgs (hámark)

±20V

Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds

2200 pF @ 25 V

FET eiginleiki

-

Afl leiðni (hámark)

180W (Tc)

Hitastig rekstrar

-55°C ~ 150°C (TJ)

Gerð uppsetningar

Surface Mount

Birgir tæki pakki

TO-268AA

Pakki / hulstur

TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

Grunnvörunúmer

IXFT9N80

Gagnaablað & Skjöl

HTML upplýsingaskjal

Gagnaplakks

Gagnablöð

Aukainformation

Venjulegur pakki

1

Umhverfis- og útflutningsflokkun

RoHS staða

ROHS3 Compliant

Rakanæmi (MSL)

1 (Unlimited)

REACH staða

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI vottun

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Tengdar vörur

infineon-technologies

IPW65R190CFDFKSA2

MOSFET N-CH 650V 17.5A TO247-3

infineon-technologies

IRL3705NPBF

MOSFET N-CH 55V 89A TO220AB

littelfuse

IXFT94N30T

MOSFET N-CH 300V 94A TO268

infineon-technologies

IRFU13N15D

MOSFET N-CH 150V 14A IPAK