Framleiðandi Vöru númer:
IXFT16N120P
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
IXFT16N120P-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 1200V 16A TO268
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 16A (Tc) 660W (Tc) Surface Mount TO-268AA
Birgðir:
97 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12911448
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IXFT16N120P Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
HiPerFET™, Polar
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
16A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
950mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6900 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
660W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Surface Mount
Birgir tæki pakki
TO-268AA
Pakki / hulstur
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Grunnvörunúmer
IXFT16
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRF634L
MOSFET N-CH 250V 8.1A I2PAK
SI7186DP-T1-E3
MOSFET N-CH 80V 32A PPAK SO-8
IRF540
MOSFET N-CH 100V 28A TO220AB
