Framleiðandi Vöru númer:
IXFQ50N60P3
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
IXFQ50N60P3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 600 V 50A (Tc) 1040W (Tc) Through Hole TO-3P
Birgðir:
12821337
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IXFQ50N60P3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
HiPerFET™, Polar3™
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
600 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
50A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
145mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 4mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
94 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
6300 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
1040W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-3P
Pakki / hulstur
TO-3P-3, SC-65-3
Grunnvörunúmer
IXFQ50
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
FCA22N60N
FRAMLEIÐANDI
Fairchild Semiconductor
Fjöldi í boði
545
HLUTARNÁMR
FCA22N60N-DG
Einingaverð
4.38
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
IPW60R099CPAFKSA1
FRAMLEIÐANDI
Infineon Technologies
Fjöldi í boði
196
HLUTARNÁMR
IPW60R099CPAFKSA1-DG
Einingaverð
4.16
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
IXTY48P05T
MOSFET P-CH 50V 48A TO252
IXFH86N30T
MOSFET N-CH 300V 86A TO247AD
IXFK180N25T
MOSFET N-CH 250V 180A TO264AA
