Framleiðandi Vöru númer:
IXFQ120N25X3
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
IXFQ120N25X3-DG
Lýsing:
MOSFET N-CHANNEL 250V 120A TO3P
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 250 V 120A (Tc) 520W (Tc) Through Hole TO-3P
Birgðir:
25 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12821859
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IXFQ120N25X3 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
HiPerFET™, Ultra X3
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
250 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
12mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 4mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
122 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±20V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
7870 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
520W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-3P
Pakki / hulstur
TO-3P-3, SC-65-3
Grunnvörunúmer
IXFQ120
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
Gagnaplakks
Gagnablöð
Aukainformation
Venjulegur pakki
30
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IXTI10N60P
MOSFET N-CH 600V 10A TO262
IXTA3N60P
MOSFET N-CH 600V 3A TO263
IXFT13N100
MOSFET N-CH 1000V 12.5A TO268
