Framleiðandi Vöru númer:
IXFP18N65X2
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
IXFP18N65X2-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 650V 18A TO220AB
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 650 V 18A (Tc) 290W (Tc) Through Hole TO-220
Birgðir:
300 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
13271055
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IXFP18N65X2 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
HiPerFET™, Ultra X2
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
650 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
18A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1.5mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
1520 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
290W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Through Hole
Birgir tæki pakki
TO-220
Pakki / hulstur
TO-220-3
Grunnvörunúmer
IXFP18
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
50
Önnur nöfn
238-IXFP18N65X2
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
IXTU4N70X2
MOSFET N-CH 700V 4A TO251
IXTT11P50-TRL
MOSFET P-CH 500V 11A TO268
MMIX1T660N04T4
MOSFET N-CH 40V 660A 24SMPD
