Framleiðandi Vöru númer:
IXFN66N85X
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
IXFN66N85X-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 850V 65A SOT227B
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 850 V 65A (Tc) 830W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Birgðir:
710 Stk Nýtt Upprunalegt Á Lager
12916521
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IXFN66N85X Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
HiPerFET™, Ultra X
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
850 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
65A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.5V @ 8mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
230 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
8900 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
830W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Chassis Mount
Birgir tæki pakki
SOT-227B
Pakki / hulstur
SOT-227-4, miniBLOC
Grunnvörunúmer
IXFN66
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
10
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI vottun
Tengdar vörur
SIJ462DP-T1-GE3
MOSFET N-CH 60V 46.5A PPAK SO-8
SIHP15N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 15A TO220AB
SIHF7N60E-E3
MOSFET N-CH 600V 7A TO220
