Framleiðandi Vöru númer:
IXFN32N120
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
IXFN32N120-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 32A Chassis Mount SOT-227B
Birgðir:
12822267
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
Minimum 1
(*) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IXFN32N120 Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Box
Röð
HiPerFET™
Staða vöru
Not For New Designs
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
32A
Rds á (Max) @ Id, Vgs
350mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 8mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
400 nC @ 10 V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
15900 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Gerð uppsetningar
Chassis Mount
Birgir tæki pakki
SOT-227B
Pakki / hulstur
SOT-227-4, miniBLOC
Grunnvörunúmer
IXFN32
Gagnaablað & Skjöl
Aukainformation
Venjulegur pakki
10
Önnur nöfn
Q7906213
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
IXFN32N120P
FRAMLEIÐANDI
IXYS
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
IXFN32N120P-DG
Einingaverð
53.23
VÖRUVAL
Similar
Partanúmer
APT21M100J
FRAMLEIÐANDI
Microchip Technology
Fjöldi í boði
0
HLUTARNÁMR
APT21M100J-DG
Einingaverð
29.38
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
IRFR120Z
MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK
IRFZ44ES
MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
NX2020P1X
NX2020P1X