Heim
Vörur
Framleiðendur
Um DiGi
Hafðu samband við okkur
Bloggar & Færslur
RFQ/Tilboð
Iceland
Skrá inn
Valin tungumál
Núverandi tungumál val þitt:
Iceland
Breyta:
Enska
Evrópa
Bretland
Frakkland
Spánn
Tyrkland
Moldóva
Litháen
Noregur
Þýskaland
Portúgal
Slóvakía
LTALY
Finnland
Rússneska
Búlgaría
Danmörk
Eistland
Pólland
Úkraína
Slóvenía
Tékkneska
Gríska
Króatía
Ísrael
Serbía
Hvíta Rússland
Holland
Svíþjóð
Svartfjallaland
Baski
Ísland
Bosnía
Ungverska
Rúmenía
Austurríki
Belgía
Írland
Asía / Kyrrahafið
Kína
Víetnam
Indónesía
Taíland
Laos
Filippseyingur
Malasía
Kórea
Japan
Hong Kong
Taívan
Singapúr
Pakistan
Suður Arabía
Katar
Kúveit
Kambódía
Mjanmar
Afríka, Indland og Miðausturlönd
Sameinuðu Arabísku Furstadæmin
Tadsjikistan
Madagaskar
Indland
Íran
Lýðveldið Kongó
Suður Afríka
Egyptaland
Kenía
Tansanía
Gana
Senegal
Marokkó
Túnis
Suður Ameríka / Eyjaálfa
Nýja Sjáland
Angóla
Brasilía
Mósambík
Perú
Kólumbía
Síle
Venesúela
Ekvador
Bólivía
Úrúgvæ
Argentína
Paragvæ
Ástralía
Norður-Ameríka
Bandaríkin
Haítí
Kanada
Kosta Ríka
Mexíkó
Um DiGi
Um okkur
Um okkur
Vottanir okkar
DiGi kynning
Hvers vegna DiGi
Stefna
Gæðastefna
Notendaleyfi
RoHS samræmi
Skilaferlið
Auðlindir
Vöruflokkar
Framleiðendur
Bloggar & Færslur
Þjónustu
Gæðatrygging
Greiðslu leið
Alþjóðleg sending
Sendingarkostnaður
Algengar spurningar
Framleiðandi Vöru númer:
IXFN26N120P
Product Overview
Framleiðandi:
IXYS
Völu númer:
IXFN26N120P-DG
Lýsing:
MOSFET N-CH 1200V 23A SOT-227B
Mikilvægar upplýsingar:
N-Channel 1200 V 23A (Tc) 695W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Birgðir:
RFQ á netinu
12820685
Óska eftir tilboði
Magn
Minimum 1
*
Fyrirtæki
*
Samskiptaheiti
*
Sími
*
Tölvupóstur
Afhendingarheimilisfang
Skilaboð
(
*
) er skylda
Við munum hafa samband við þig innan 24 klukkustunda
STILLTA
IXFN26N120P Tæknilegar forskriftir
Flokkur
FETs, MOSFETs, Einn FET, MOSFET
Framleiðandi
Littelfuse
Pakkning
Tube
Röð
HiPerFET™, Polar
Staða vöru
Active
FET gerð
N-Channel
Tækni
MOSFET (Metal Oxide)
Frárennsli til uppruna spennu (Vdss)
1200 V
Núverandi - Stöðugt frárennsli (Id) @ 25 °C
23A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds á (Max) @ Id, Vgs
460mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
6.5V @ 1mA
Hliðhleðsla (Qg) (hámark) @ Vgs
225 nC @ 10 V
Vgs (hámark)
±30V
Inntak rýmd (Ciss) (hámark) @ Vds
14000 pF @ 25 V
FET eiginleiki
-
Afl leiðni (hámark)
695W (Tc)
Hitastig rekstrar
-55°C ~ 150°C (TJ)
Gerð uppsetningar
Chassis Mount
Birgir tæki pakki
SOT-227B
Pakki / hulstur
SOT-227-4, miniBLOC
Grunnvörunúmer
IXFN26
Gagnaablað & Skjöl
HTML upplýsingaskjal
IXFN26N120P-DG
Gagnaplakks
IXFN26N120P
Gagnablöð
IXFN26N120P
Aukainformation
Venjulegur pakki
10
Umhverfis- og útflutningsflokkun
RoHS staða
ROHS3 Compliant
Rakanæmi (MSL)
1 (Unlimited)
REACH staða
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Valkostamódeli
Partanúmer
APT10045JLL
FRAMLEIÐANDI
Microchip Technology
Fjöldi í boði
4
HLUTARNÁMR
APT10045JLL-DG
Einingaverð
34.42
VÖRUVAL
Similar
DIGI vottun
Tengdar vörur
IXFN38N100P
MOSFET N-CH 1000V 38A SOT-227B
IXTT88N30P
MOSFET N-CH 300V 88A TO268
IXFK32N100X
MOSFET N-CH 1000V 32A TO264
IXTH75N10
MOSFET N-CH 100V 75A TO247